Особливості пороутворення напівпровідників на прикладі селеніду цинку та фосфіду індію
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Подано методику отримання пористих шарів ZnSe та InP шляхом електрохімічного травлення в кислих розчинах. Морфологія поверхні досліджувалась на cкануючому електронному мікроскопі. Методом енерго-дисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDAX) визначено хімічний склад поверхні одержаних пористих шарів
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
S. Kozickij, D. Polishchuk, V. Pisarskij, N. Kompanichenko, I. CHaus, and V. Andrejchenko, “Poluchenie metodom samorasprostranyayushchegosya vysokotemperaturnogo sinteza selenida cinka i ego svojstva [Production of zinc selenide by self-propagating high-temperature synthesis and its properties]”, Izv. AN SSSR. Neorganicheskie materialy, vol. 27, no. 12, pp. 2516–2519, Jan. 1991.
S. Zubric’kij and S. Kozic’kij, “Fotolyumіnescencіya polіkristalіv ZnSe, otrimanih metodom samoposhiryuvanogo visokotemperaturnogo sintezu, [Photoluminescence of ZnSe polycrystals, removed by the method of self-spreading high-temperature synthesis]”, Ukr. fіz. ZHurnal, vol. 37, no. 11, pp. 52–58.
Y. Vaksman and S. Kozickij, “Lyuminescenciya selenida cinka, poluchennogo metodom samorasprostranyayushchegosya visokotemperaturnogo sinteza, [Luminescence of zinc selenide obtained by self-propagating high-temperature synthesis]”, ZHurnal prikladnoj spektroskopii, vol. 64, no. 3, pp. 454–459.
L. T. Canham, “Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers”, Phys. Lett, vol. 10, pp. 1046–1048, Jan. 1990.
V. M. Demidovich, G. B. Demidovich, and S. N. Kozlov, “Absorbcionno-chuvstvitel’nyj diod na poristom kremnii, [Porous Silicon Absorption Sensitive Diode]”, Pis’ma v ZHTF, vol. 18, no. 14, pp. 57–59, Jan. 1992.
A. Liu, “Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP”, Nanotechnology, vol. 12, no. 3, pp. L1-L3, Aug. 2001 https://doi.org/10.1088/0957-4484/12/3/101
S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, H. Föll, and I. M. Tiginyanu, “Observation of crossing pores in anodically etched -GaAs”, Applied Physics Letters, vol. 78, no. 8, pp. 1074–1076, Feb. 2001 https://doi.org/10.1063/1.1350433
S. Langa, “Uniform and Nonuniform Nucleation of Pores during the Anodization of Si, Ge, and III-V Semiconductors”, Journal of The Electrochemical Society, vol. 152, no. 8, p. C525, Jan. 2005 https://doi.org/10.1149/1.1940847
P. Schmuki, D. J. Lockwood, H. J. Labbé, and J. W. Fraser, “Visible photoluminescence from porous GaAs”, Applied Physics Letters, vol. 69, no. 11, pp. 1620–1622, Sep. 1996 https://doi.org/10.1063/1.117050
A. Zeng, M. Zheng, L. Ma, and W. Shen, “Etching temperature dependence of optical properties of the electrochemically etched n-GaAs”, Applied Physics A, vol. 84, no. 3, pp. 317–321, Jun. 2006 DOI:10.1007/s00339-006-3621-1
I. Šimkiene, A. Kindurys, M. Treideris, and J. Sabataityte, “Formation of Porous n-A B Compounds”, Acta Physica Polonica A, vol. 113, no. 3, pp. 1085–1090, Mar. 2008 DOI:10.12693/APhysPolA.113.1085
Y. Sychikova, V. Kidalov, H. Sukach, and O. Kyrylash, “Metodyka otrymannia tadoslidzhennia morfolohii poruvatykh shariv p-InP ta p-GaAs [Methodology for rejecting the morphology of porous spheres p-InP and p-GaAs]”, Electronics and communications, Thematic issue "Electronics and nanotechnology", vol. 57, no. 4, pp. 34–36, Jan. 2010.
Y. Sychikova, V. Kidalov, and G. Sukach, “Vliyanie tipa aniona elektrolita na morfologiyu poristogo InP, poluchennogo metodom elektroliticheskogo travleniya [Influence of the type of electrolyte anion on the morphology of porous InP obtained by electrolytic etching]”, ZH. nano- і elektron. fіz., vol. 1, no. 4, pp. 69–77, 2009.
