Отримання тонкоплівкових гетероструктур методом гарячих стінок та дослідження механізмів струмоперенесення
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Результати розрахунків, зроблених на основі вольт-амперних характеристик, дозволили виявити основний механізм струмоперенесення гетероструктурах, вирощених на основі плівок II-VI. Робиться прогноз можливості створення резонансних тунельних структур з урахуванням досліджуваних плівок.Наведено результати дослідження впливу технологічних параметрів на тип кристалічної структури та розмір зерен плівок матеріалів групи II-VI, вирощених методом «гарячої стінки». Вимірювання спектрів рентгенівської дифракції дозволило виявити, що мікрокристаліти, що формуються, складаються з наноблоків, розмір яких не залежить від зміни досліджуваних технологічних параметрів. За допомогою оптичної мікроскопії вивчено закономірність зміни розмірів мікрокристалітів, що ростуть, від температури випарника і камери. Результати розрахунків, зроблених на основі вольт-амперних характеристик, дозволили виявити основний механізм струмоперенесення гетероструктурах, вирощених на основі плівок II-VI. Робиться прогноз можливості створення резонансних тунельних структур з урахуванням досліджуваних плівок.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
A. Lopez-Otero, “Hot wall epitaxy”, Thin Solid Films, vol. 49, no. 1, pp. 3–57, Feb. 1978. DOI:10.1016/0040-6090(78)90309-7
I. Kalinkin, V. Aleskovsky, and A. Simashkevich, Epitaxial filmsAIIBVI, L: Leningrad State University, 1978, p. 310.
K. Chopra, Electric phenomena in thinfilms, M.: Mir, 1972, p. 432.
Y. Bobrenko, N. Yaroshenko, G. Sheremetova, T. Semikina, and B. Atdaev, “Ultraviolet photodetectorsradiation based on ZnS thin films”, TCEA, vol. 83, no. 5, pp. 29–31, Jan. 2009.
B. Sharma and R. Purohit, Semiconductor heterojunctions, M: Sov. radio, 1979, p. 230.
