Оцінка властивостей тринітридів у сильному електричному полі
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У цій статті зроблено спробу систематизувати існуючі дані про групу тринітридів та проаналізувати їхню поведінку в умовах сильного електричного поля. За допомогою аналітичних виразів для часу релаксації імпульсу та енергії при різних механізмах розсіювання проведено оцінку динамічних властивостей тринетридних сполук у сильних електричних полях, а також розраховано полетемпературну залежність, функцію заселеності долин та поле-швидкісну характеристику для нітридів з різною модифікацією кристалічної решітки. Результати розрахунків зіставлені з наявними експериментальними даними та з розрахунками інших авторів
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
J. W. Orton and C. T. Foxon, “Group III nitride semiconductors for short wavelength light-emitting devices”, Reports on Progress in Physics, vol. 61, no. 1, pp. 1–75, Jan. 1998. DOI:10.1088/0034-4885/61/1/001
F. A. Ponce and D. P. Bour, “Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices”, Nature, vol. 386, no. 6623, pp. 351–359, Mar. 1997. DOI:10.1038/386351a0
S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, “III–nitrides: Growth, characterization, and properties”, Journal of Applied Physics, vol. 87, no. 3, pp. 965–1006, Feb. 2000. DOI:10.1063/1.371971
R. F. Davis, “Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride”, Physica B: Condensed Matter, vol. 185, no. 1-4, pp. 1–15, Apr. 1993. DOI: 10.1016/0921-4526(93)90210-W
Proc. 7th Int. Conf Silicon Carbide, Ill-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, В. Monemar and E. Janzen (Trans Tech., Switzerland, 1998)
E. Prokhorov and N. Beletsky, Semiconductor materials for devices with intervalley electron transfer, Kharkiv: Vishcha school, 1982, p. 144.
V. Moskalyuk, Physics of electronic processes Part II. Dynamic Processes: Textbook allowance, K.: Avers, 2004, p. 186.
I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, “Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys”, Journal of Applied Physics, vol. 89, no. 11, pp. 5815–5875, Jun. 2001. DOI:10.1063/1.1368156
I. Vurgaftman and J. R. Meyer, “Band parameters for nitrogen-containing semiconductors”, Journal of Applied Physics, vol. 94, no. 6, pp. 3675–3696, Sep. 2003. DOI: 10.1063/1.1600519
S. Davydov, “Estimates of nitride parameterselements of the third group: BN, AIN, GaN andInN”, Physics and technology of semiconductors, vol. 36, no. 1, pp. 45–47, 2002.
