Прикладна програма для моделювання переносу заряду в квантово-розмірних гетероструктурах з графічним інтерфейсом користувача
Основний зміст сторінки статті
Анотація
В рамках формалізму огинаючих функцій розроблені одно- та дводолинна моделі стаціонарних електронних процесів в квантоворозмірних геретоструктурах. Самоузгодження заряду в квантовій області досягається використанням методом Хартрі, Г-X-розсіювання на гетероінтерфейсах враховується за допомогою сталої міжзонної взаємодії. Розсіяння на оптичних фононах враховано шляхом введення уявної частини в Гамільтоніан, а також шляхом поділу всього струму через структуру на струм через когерентний та послідовний канали. Дружній інтерфейс, який реалізовано в середовищі MatLab, дозволяє створювати будь-яку послідовність гетерошарів для аналізу більшості сполук AIIIBV
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
I. Abramov and I. Goncharenko, “Numericalcombined resonant-tuning modelnelny diode”, Physics and technology of semi-conductorwater workers, no. 39, pp. 1138–1145, 2005.
R. Lake and S. Datta, “Nonequilibrium Green’s-function method applied to double-barrier resonant-tunneling diodes”, Physical Review B, vol. 45, no. 12, pp. 6670–6685, Mar. 1992. DOI:10.1103/PhysRevB.45.6670
K. L. Jensen and F. A. Buot, “Numerical simulation of transient response and resonant‐tunneling characteristics of double‐barrier semiconductor structures as a function of experimental parameters”, Journal of Applied Physics, vol. 65, no. 12, pp. 5248–5250, Jun. 1989. DOI:10.1063/1.343120
R. Tsu and L. Esaki, “Tunneling in a finite superlattice”, Applied Physics Letters, vol. 22, no. 11, pp. 562–564, Jun. 1973. DOI:10.1063/1.1654509
G. Haddad, P. Mazumder, and J. Schulman, “Resonant tunneling diodes: models and properties”, Proceedings of the IEEE, vol. 86, no. 4, pp. 641–660, Apr. 1998. DOI:10.1109/5.663541
Package for modeling transverse transport in nanostructures WinGreen http://www.fz-juelich.de/ibn/mbe/software.html
V. Moskaliuk, V. Timofeev, and A. Fediai, “Simulation of transverse electron transport in resonant tunneling diode”, in 33rd International Spring Seminar on Electronics Technology, ISSE 2010, Warsaw, Poland, 2010, pp. 365–369. DOI:10.1109/ISSE.2010.5547319
N. Huey, Method Basicssecond quantization, Moscow: Energoatomizdat, 1984, p. 208.
H. C. Liu, “Resonant tunneling through single layer heterostructures”, Applied Physics Letters, vol. 51, no. 13, pp. 1019–1021, Sep. 1987. DOI:10.1063/1.98817
J. P. Sun, R. K. Mains, K. Yang, and G. I. Haddad, “A self‐consistent model of Γ‐ mixing in GaAs/AlAs/GaAs quantum well structures using the quantum transmitting boundary method”, Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 8, pp. 5053–5060, Oct. 1993. DOI:10.1063/1.354288
Vasko F.T., Electronic states and opti-cal transitions in semiconductor hetero-structures, Kiev: Naukova Dumka, 1993, p. 181.
Y. Zohta and T. Tanamoto, “Improved optical model for resonant tunneling diode”, Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 11, pp. 6996–6998, Dec. 1993. DOI:10.1063/1.355054
J. P. Sun and G. I. Haddad, “Self-Consistent Scattering Calculation of Resonant Tunneling Diode Characteristics”, VLSI Design, vol. 6, no. 1-4, pp. 83–86, Jan. 1998. DOI:10.1155/1998/78412
C. S. Lent and D. J. Kirkner, “The quantum transmitting boundary method”, Journal of Applied Physics, vol. 67, no. 10, pp. 6353–6359, May 1990. Doi:10.1063/1.345156
T. Tanoue and H. Mizuta, The physics and applicationof resonant tunnelling diode, CambridgeUniversity Press, 1993, p. 245.
I. Abramov, I. Goncharenko, N. Kolomejtseva, and A. Shilov, “RTD Investigations using Two- Band Models of Wave Function Formalism Microwave & Telecommunication Technolog”, in CriMiCo 2007. 17th International Crimean Conference, pp. 589–590.
A. Samarsky, Introduction to theorydifference schemes, Moscow: Nauka, 1971, p. 553.
R. Hockney and J. Eastwood, Moscow: Mir, 1987, p. 640.
O. Pinaud, “Transient simulations of a resonant tunneling diode”, Journal of Applied Physics, vol. 92, no. 4, pp. 1987–1994, Aug. 2002. DOI:10.1063/1.1494127
