Електротеплове моделювання теплового поля інтегральних схем при розміщенні елементів
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У роботі запропоновано метод моделювання теплового поля кристала напівпровідникових інтегральних схем (ІС), що ґрунтується на принципі електротеплової аналогії, розглядається відповідна електрична схема заміщення теплообміну ІС, побудована на джерелах струму та опорах. Для реалізації методу використано комерційний програмний інструментарій моделювання електронних схем SPICE. Наведено методику застосування запропонованого методу моделювання при початковому багатопараметричному розміщенні логічних осередків ІС. Ефективність цього методу роз'яснена на тестовому прикладі моделювання логічної схеми. Інтегрування запропонованого методу моделювання з інструментаріями розміщення елементів ІС дозволяє контролювати в процесі проектування якість розміщення елементів з точки зору теплового режиму роботи ІС
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Semiconductor Industry Association, International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003, http: // public.itrs.net/
“Cell-level placement for improving substrate thermal distribution”, IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 19, no. 2, pp. 253–266, Feb. 2000.
A. Arutyunyan, “Increasing the uniformity of the distributiondistribution of the thermal field at the initialdisplacement of topological cells of the IS”, in III All-Russian scientific and technical conference“Problems of developing promising micro-and nanoelectronic systems. Collection of scientificProceedings, Moscow, pp. 251–254.
S. Wunsche, C. Clauss, P. Schwarz, and F. Winkler, “Electro-thermal circuit simulation using simulator coupling”, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 5, no. 3, pp. 277–282, Sep. 1997.
G. Dulnev, Heat and mass transfer in electronic equipment, Moscow: Higher. school, 1984, p. 247.
Digital Standard Cell Library, SAED_EDK90_CORE DATABOOK: © 2008 SYNOPSYS ARMENIA Educational Department, Yerevan, 2008, 96 p
