Електропровідність титановмісних СІАЛОНів, отриманих з різним темпом охолодження

Бічна панель сторінки статті

pdf (Русский)
Опубліковано: лис 29, 2010
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.59.6.279341
Ключові слова:
електропровідність, нітрид кремнію, оксид титану, гідрид титану, гаряче пресування

Основний зміст сторінки статті

С.М. Здольник
В.І. Ільченко
В.Я. Петровський
І.В. Чернякова

Анотація

Встановлено, що технологічний режим, а саме швидкість охолодження зразків після гарячого пресування, впливає на морфологію та дефектність структури багатокомпонентного матеріалу, а електропровідність є ключовим структурочутливим параметром

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Здольник, С. ., Ільченко, В. ., Петровський, В. ., & Чернякова, І. . (2010). Електропровідність титановмісних СІАЛОНів, отриманих з різним темпом охолодження. Електроніка та Зв’язок, 15(6), 5–11. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.59.6.279341
Номер
Том 15 № 6 (2010)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

M. Torti, “Silicon Nitride and Silicon Carbide. Propertiesand shape Capability”, Powder Metallurgy International, vol. 6, no. 4, pp. 186–189, Jan. 1974.

K. S. MAZDIYASNI and C. M. COOKE, “Consolidation, Microstructure, and Mechanical Properties of Si3N4 Doped with Rare-Earth Oxides”, Journal of the American Ceramic Society, vol. 57, no. 12, pp. 536–537, Dec. 1974. DOI:10.1111/j.1151-2916.1974.tb10806.x

I. Osipova and D. Pogorelova, “Rekristallization of silicon nitride powders athot pressing”, Powder metallurgy, no. 10, pp. 43–47, 1982.

D. Karpinos, E. Mikhashchuk, and G. Totskaya, “Composite material based on filamentsilicon ride”, in Production methods, propertieswa and applications of nitrides: Mateseminar rials, p. 74, 1980

V. Gritsenko, Y. Novikov, A. Shaposhnikov, and Y. Morokov, “Numerical simulation of intrinsic defects in SiO2 and Si3N4”, FTP, vol. 35, no. 9, pp. 1041–1049, 2001.

V. Petrovsky, “The role of the liquid phase in thestudying the properties of sialon ceramics”, CERAMICS 45, pp. 41–50, 1994.

J. Zhang, J. Yuan, Y. Ma, and A. Oates, “Design optimization of stacked layer dielectrics for minimum gate leakage currents”, Solid-State Electronics, vol. 44, no. 12, pp. 2165–2170, Dec. 2000. DOI:10.1016/S0038-1101(00)00185-4

C. Kawai and A. Yamakawa, “Crystal growth of silicon nitride whiskers through a VLS mechanism using SiO2Al2O3Y2O3 oxides as liquid phase”, Ceramics International, vol. 24, no. 2, pp. 135–138, Jan. 1998. DOI:10.1016/S0272-8842(97)00042-4

[1]R. Sabia and L. Ukrainczyk, “Surface chemistry of SiO2 and TiO2–SiO2 glasses as determined by titration of soot particles”, Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 277, no. 1, pp. 1–9, Nov. 2000. DOI:10.1016/S0022-3093(00)00237-4

M. Kuzenkova and V. Ivzhenko, “Influence of titanium hydride additives on the structure and strength of ceramics based on silicon nitride”, in Getters, properties, and scopesNitride Applications: Seminar Proceedings, Riga: Zinatne, p. 118.

V. Petrovsky, “Physical principles andtechnological aspects of obtaining gradient composites based onoxygen-free ceramics”, Powderedmetallurgy, no. 7/8, pp. 50–54, 1998.

G. Gnesin, V. Kirilenko, and V. Petrovsky, “Quality control of hot pressedsilicon nitride dielectricmaterials”, Powder metallurgy, no. 3, pp. 53–59, 1982.

M. Levinshtein and G. Simin, Barriers (Fromcrystal to integrated circuit), Moscow: Nauka, 1987, p. 320.

J. S. Thorp and R. I. Sharif, “Electrical conductivity in hot-pressed nitrogen ceramics”, Journal of Materials Science, vol. 11, no. 8, pp. 1494–1500, Aug. 1976. DOI:10.1007/BF00540883

J. S. Thorp and R. I. Sharif, “D. C. electrical properties of hot-pressed nitrogen ceramics”, Journal of Materials Science, vol. 13, no. 2, pp. 441–449, Feb. 1978. DOI:10.1007/BF00647791

A. Rzhanov, Silicon nitride in electronics, Novosibirsk: Nauka, 1982, p. 200.

O. Golikova, “Features of the structure of films of amorphous hydrogenated silicon,precipitated by the decomposition of silane ondirect current in a magnetic field”, FTP, vol. 31, no. 7, pp. 816–819, Jan. 1997.

O. Golikova and M. Kazanin, “Filmsamorphous hydrogenated silicon with increased photosensitivity”, FTP, vol. 33, no. 1, pp. 110–113, 1999.