Розподіл електричного поля та напруги в структурі високовольтних напівпровідникових приладів з об'ємним розділяючим шаром
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Проведено аналіз, в результаті якого встановлено розподіл електричного поля та напруги в p-n переході з об'ємним розділяючим шаром. Встановлено залежність між напругою та параметрами структури з об'ємним розділяючим шаром. Наведено результати експериментальних досліджень біполярних транзисторів з вбудованим об'ємним розділяючим шаром.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
V. Gusev and A. Borisov, “Pulse diode withlimited recombination region”, Electronics and communications, no. 8, pp. 338–341, Jan. 2000.
J. Sin, “Optimization of the specific on-resistance of the COOLMOS/sup TM/”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 48, no. 2, pp. 344–348, Feb. 2001 DOI:10.1109/16.902737
J. Sin, “A novel high-voltage sustaining structure with buried oppositely doped regions”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 47, no. 6, pp. 1280–1285, Jun. 2000 DOI:10.1109/16.842974
A.s. No. 1407344 USSR MKI(51)5 HO1L High- Voltage bipolar transistor / V.A. Gusev, S.E.Motornaya, V.A.Konovalov (USSR). – No. 4119979; Declared 06/12/1986; Publ. 04/01/1988.
A. Blicher, Physics of force and bipolartransistors: Per. from English, Leningrad: Energoatomizdat, 1986, p. 250.
