Порогова напруга МОП транзисторів з нанорозмірними товщинами підзатворного діелектрика

Основний зміст сторінки статті

В.Г. Вербицький
Л.І. Самотовка
В.Л. Самотовка

Анотація

В роботі досліджено параметри для розрахунку порогової напруги МОП транзисторів з нанорозмірними товщинами підзатворного діелектрика. Запропоновано спосіб визначення порогової напруги МОП транзисторів на основі методу різницевої частоти

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Вербицький, В. ., Самотовка, Л. ., & Самотовка, В. . (2010). Порогова напруга МОП транзисторів з нанорозмірними товщинами підзатворного діелектрика. Електроніка та Зв’язок, 15(4), 11–16. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.4.299603
Розділ
Наноструктури і нанотехнології в електроніці

Посилання

I. Brusentsov, “Modern methods candividing the threshold voltage field-output MOS transistors”, Foreign electronicsthrone technology, no. 10, pp. 6–20, 1990.

S. Zee, Physics of semiconductor devices, vol. 2. Moscow: Mir, 1984, p. 456.

V. Gurtov, Field effect transistors with a metal-dielectric-semiconductor structure, Petrozavodsk: PGI, 1981, p. 90.

R. Cobbold, Theory and application of fieldtransistors, Leningrad: Energy, 1975, p. 304.

L. Berman, Capacitive methods of researchof semiconductors, Leningrad: Nauka, 1972, p. 104.

D. Ferry, L. Akers, and E. Greenig, Electronicsultra-large-scale integrated circuits, Moscow: World, 1991, p. 328.