Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Пористі шари p-типу GaAs були отримані електролітичним травленням. При цьому вдалося отримати пористий шар, який складався з нанокристалітів розміром 0,1-1 мкм. Методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії (XPS), енергодисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDAX) та дифрактометричних досліджень було визначено присутність оксидів на пористій поверхні, для видалення яких використовувалась методика попереднього відпалу пористих шарів в атмосфері водню. Вперше методом фотоелектричного травлення отримані пористі шари p-типу InP з розміром пір 30-40 нм, товщина пористого шару становила 20 мкм.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
V. Ulin and S. Konnikov, “The nature of the processes of electrochemical pore formation inIIIBV crystals (part 1)”, FTP, vol. 41, no. 7, pp. 854–866, Jan. 2007.
V. Ulin and S. Konnikov, “The nature of the processes of electrochemical pore formation incrystals AIIIBV (part 2)”, FTP, vol. 41, no. 7, pp. 867–877, Jan. 2007.
V. V. Kidalov, G. A. Sukach, A. S. Revenko, and A. D. Bayda, “Properties of cubic GaN films obtained by nitridation of porous GaAs(001)”, physica status solidi (a), vol. 202, no. 8, pp. 1668–1672, May 2005. doi:10.1002/pssa.200461215
L. Santinacci and T. Djenizian, “Electrochemical pore formation onto semiconductor surfaces”, Comptes Rendus. Chimie, vol. 11, no. 9, pp. 964–983, Jul. 2008. doi:10.1016/j.crci.2008.06.004
R. Srinivasan and K. Ramachandran, “Thermal diffusion in nanostructured porous InP”, Bulletin of Materials Science, vol. 31, no. 6, pp. 863–868, Nov. 2008. doi:10.1007/s12034-008-0138-6
H. Föll, S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, and I. Tiginyanu, “Pores in III–V Semiconductors”, Advanced Materials, vol. 15, no. 3, pp. 183–198, Feb. 2003. doi:10.1002/adma.200390043
I. Šimkiene, A. Kindurys, M. Treideris, and J. Sabataityte, “Formation of Porous n-A B Compounds”, Acta Physica Polonica A, vol. 113, no. 3, pp. 1085–1090, Mar. 2008. doi:10.12693/APhysPolA.113.1085
U. Schlierf, D. Lockwood, M. Graham, and P. Schmuki, “Structural and optical properties of p-InP(1 0 0) anodized in halogenic acids”, Electrochimica Acta, vol. 49, no. 11, pp. 1743–1749, Apr. 2004. doi:10.1016/j.electacta.2003.12.005
S. Langa, I. M. Tiginyanu, J. Carstensen, M. Christophersen, and H. Föll, “Self-organized growth of single crystals of nanopores”, Applied Physics Letters, vol. 82, no. 2, pp. 278–280, Jan. 2003. doi:10.1063/1.1537868
V. V. Kidalov, “Optical properties of p-type porous GaAs”, Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, vol. 8, no. 4, pp. 118–120, Dec. 2005. DOI:10.15407/spqeo8.04.118
T. Sato and A. Mizohata, “Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures”, Electrochemical and Solid-State Letters, vol. 11, no. 5, p. H111, Jan. 2008. doi:10.1149/1.2844216
