Деталізація локалізованих рівнів невпорядкованих напівпровідникових структур
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Наведено спосіб опису ступеня невпорядкованості активних шарів напівпровідникових приладів. На основі спрощеного представлення побудови дефектних грат матеріалу, вводиться функціональна залежність енергетичного спектру, що дає розподілу локальних рівнів у хвостах забороненої зони. Показано можливість пояснення структурних побудов аморфної матриці виходячи з технологічних режимів одержання напівпровідникового шару. Запропоновано параметри, що визначають ступінь розпорядкованості матеріалу.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
A. Sazonov, M. Meitin, D. Strahilev, and A. Nathan, “Low-temperature materials and thin-film transistors for electronics on flexible substrates”, Physics of semiconductors, vol. 40, no. 8, pp. 986–994, 2006.
J.-T. Lin and K.-D. Huang, “A High-Performance Polysilicon Thin-Film Transistor Built on a Trenched Body”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 9, pp. 2417–2422, Sep. 2008. DOI:10.1109/TED.2008.927667
J. Ziman, Models of Disorder, Moscow: Mir, 1982, p. 591.
M. Brodsky, Amorphous semiconductors, Moscow: Mir, 1982, p. 420.
O. Madelung, Solid State Physics. Localized States, Moscow: Nauka. Main Editorial Board of Physical and Mathematical Literature, 1985, p. 184.
S. Mitra, Physics of Structurally Disordered Solids, N. Y.: Plenum Press, 1976, p. 351.
S. Vonsovsky and M. Katsnelson, Quantum physics of solids, Moscow: Nauka, 1983, p. 336.
B. Ridley, Quantum processes in semiconductor, Oxford University Press, 1982, p. 302.
V. Bonch-Bruevich and S. Kalashnikov, Physics of semiconductors, vol. 3. Moscow: Science. Main editorial board of physical and mathematical literature, 1987, p. 679.
M. Bykov, A. Bykov, S. Zuev, A. Mazinov, N. Slipchenko, and D. Unzhakov, “Model of photogeneration and carrier transport in the a-Si:H/c-Si structure”, Applied Radioelectronics, no. 7, pp. 71–76, 2008.
A. Onishchuk and V. Panfilov, “Mechanism of thermal decomposition of silanes”, Uspekhi khimii, vol. 70, no. 4, pp. 368–379, 2001.
A. Mazinov, E. Lisovets, and A. Karavainikov, “Influence of hydrogen concentration in the magnetron chamber on the hydrogenation of silicon amorphous film”, Bulletin of SumSU, vol. 69, no. 10, pp. 101–106, 2004.
