Аналіз одно - і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфірином
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У даній роботі ми проаналізували розподіл електричного потенціалу в нелегованому польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу (ПТ з Si-НП) з конфігурацією нижнього затвору, покритого органічним з'єднанням - порфірином. Зокрема, ми вивчали одномірний розподіл електростатичного потенціалу вздовж різних осей ПТ з Si -НП для наступних дослыджень характеристик переносу електронів. Бібл. 5, рис. 6
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Baek E. (2012), “Optoelectronic Switching of Porphyrin Coated Si Nanowire Field Effect Transistors”, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea.
Curreli M., Zhang R., Ishikawa F.N., Chang H.K., Cote R.J., Zhou C., Thompson M.E. (2008), “Real-Time, Label-Free Detection of Biological Entities Using NW-Based FETs”. Vol. 7, no. 6, pp. 651–667.
Datta S. (2005), “Quantum Transport: Atom to Transistor”, Cambridge University Press. http://www.comsol.com
Nozaki D., Kunstmann J., Zörgiebel F., Weber W.M., Mikolajick T., Cuniberti G (2011), “Mul-tiscale Modeling of Nanowire-based Schottky-Barrier Field-Effect Transistors for Sensor Ap-plications”. Vol. 22, no. 32, pp. 325703.
Schmidt V., Wittemann J. V., Gösele U. (2010), “Growth, thermodynamics, and electrical prop-erties of silicon nanowires”. Vol.110, pp. 361–388.
