Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (English)
Опубликован: Mar 5, 2015
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.5.38770
Ключевые слова:
кремниевый нанопровод, полевой транзистор, порфирин, электрический потенциал.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

D. S. Bodilovska

Аннотация

В данной работе мы проанализировали распределение электрического потенциала в нелегированном полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода (ПТ с Si-НП) с конфигурацией нижнего затвора, покрытого органическим соединением - порфирином. В частности, мы изучали одномерное распределение электростатического потенциала вдоль различных осей ПТ с Si-НП для последующих изучений характеристик переноса электронов. Библ. 5, рис. 6.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Bodilovska, D. S. (2015). Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином. Электроника и Связь, 19(5), 9–13. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.5.38770
Выпуск
Том 19 № 5 (2014)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Baek E. (2012), “Optoelectronic Switching of Porphyrin Coated Si Nanowire Field Effect Transistors”, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Korea.

Curreli M., Zhang R., Ishikawa F.N., Chang H.K., Cote R.J., Zhou C., Thompson M.E. (2008), “Real-Time, Label-Free Detection of Biological Entities Using NW-Based FETs”. Vol. 7, no. 6, pp. 651–667.

Datta S. (2005), “Quantum Transport: Atom to Transistor”, Cambridge University Press. http://www.comsol.com

Nozaki D., Kunstmann J., Zörgiebel F., Weber W.M., Mikolajick T., Cuniberti G (2011), “Mul-tiscale Modeling of Nanowire-based Schottky-Barrier Field-Effect Transistors for Sensor Ap-plications”. Vol. 22, no. 32, pp. 325703.

Schmidt V., Wittemann J. V., Gösele U. (2010), “Growth, thermodynamics, and electrical prop-erties of silicon nanowires”. Vol.110, pp. 361–388.