Моделювання темплетних наноструктур
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Мета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.
Бібл. 9, рис.4
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
S. Nakamura, (1998), “The Roles of Structural Imperfections in InGaN-Based Blue Light-Emitting Di-odes and Laser Diodes,’’ Science, Vol. 281, Pp. 956 – 961, August 1998. (Eng)
S. Strite, G.B. Gao and M.E. Lin, (1973), “Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semi-conductor device technologies,’’ J. Appl. Phys., Vol. 76, Pp.1363 – 1366, April 2004. (Eng)
V.I. Osinski and N.K. Kostyukevich, “Integral optocoupler,” priority 1973.Certificate of authorship # 551730 (USSR) (Rus)
Osinsky V. Katsapov T.M. Tyavlovskaya E.A. (1984), “Structural perfection of selective GaAs regions in Si-substrate windows”. Phys. Stat. Sol. (a) Vol. 82, No2, Pp.174 -177.
V. Osinsky, D. Murchenko and H. Honarmand. (2009), “Si/A3B5 one chip integration of white LED sources,” Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 12, Pp. 240 – 250, March 2009. (Eng)
N.O. Lyakhova. (2011), “Simulation of templetnyh sizes on dyslokatsiynist nanostructures by selective epitaxy of III-nitrides”. Electronics and Communications, No 3, Pp.39 - 43. (Ukr)
V. Timofeyev, E. Faleyeva, E. Semenovskaya, A. Andryushchenko, V. Osinsky, N. Lyahova, N. Suk-hoviy. (2014), “Simulation of Influence of Template Size on Burger Dislocation in Nanostructures”. IEEE IEEE 34th International Conference ELNANO-2014, APRIL 15-18, 2014. pp. 191-193. (Eng)
V. Osinskiy, P. Deminsky, N. Lyahova, N. Suhoviy, H. Homarmand. (2004), “The dependence of Si/AIIIBV light source photoluminescence efficiency on dynamic displacements of atoms in the crystal lattice”. IEEE IEEE 34th International Conference ELNANO-2014, APRIL 15-18, 2014. pp. 171-175.(Eng)
А. Alіzade, P. Sharma and S. Gantі. (2004), “Templeted wide band-gap nanostructures” Applied bio-physics”. Vol. 95, pp. 294 – 298, December 2004. (Eng).
