Структуры Al/нанокристаллический CeOx/Si/Al для фотодетекто-ров на основе гетероперехода
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Изготовлены и исследованы структуры метал/нанокристаллический-CeOx/Si с целью создания фотодетекторов на основе гетероперехода. Фоточувствительность полученных структур в видимом диапазоне составляет 330 мкA/Лм∙В, плотность поверхностных состояний – на уровне 7∙1010 см-2∙еВ-1. Диэлектрическая проницаемость пленок CeOx на постоянном токе достигает значения 15. Тонкие (80 нм) пленки оксида церия в структурах Al/nc-CeOx/Si/Al были получены методом «взрывного испарения». Исследовано влияние технологических факторов на микроструктуру пленок CeOx, а также на фотоэлектрические свойства структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Обнаружено, что нанокристаллическая пленка CeOx в полученных структурах Al/nc-CeOx/Si/Al – это полупроводник с электронным типом электропроводности и объемным сопротивлением в пределах 0,5-30 МОм∙см.
Библ. 9, рис. 2.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Borisov A. V., Shmyryeva A. N., Maksimchuk N. V. Nanocrystalline Films of Cerium Oxide for Biolu-minescent Sensory Systems // J. Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies.– 2009.– vol.7.– Pp. 245-254.
Channei D., Nakaruk A., Phanichphant S., Koshy P. and Sorrell C. C. Cerium dioxide thin films using spin coating // Journal of Chemistry.– 2013.– vol. 2013.– Pp. 579284–579287.
Iordanova I., Popova L., Aleksandrova P., Beshkov G., Vlahkov E., Mirchev R., Blagoev B. X-ray in-vestigation of annealed CeO2 films prepared by sputtering on Si substrates // J. Thin Solid Films.– 2007.– vol. 515.– Pp. 8078–8081.
Ivanov V.K., Polezhaeva O.S., Tretiakov Y.D. Nanocrystalline cerium dioxide: synthesis, structure-sensitive properties and promising field of application // Russian Chemical Journal.– 2009.– vol.53.– № 2.– Pp. 56-67.
Maksimchuk N.V., Shmyryeva A.N., Borisov A.V. Properties and Applications of Nanocrystalline Ceri-um Oxide Films // J. Technology and Design in Electronic Equipment.– 2010.– № 5-6.– Pp. 54-59.
McGill T.C. Development and applications of heterojunctions for nanoelectronics for silicon // Final report, California institute of technology.– November 2.– 2002.
Melnik V.G., Nazarenko V.I., Starodub N.F., Maksimchuk N.V., Shmyryeva A.N. Electronic Biolumi-nescent Device for Determination of Toxic Substances // J. Electronics and Communications.– 2008.– part 2.– Pp. 110-114.
Patsalas Р., Logothetidis S. Structure-dependent electronic properties of nanocrystalline cerium oxide // J. Physical Review.– 2003.– vol. B 68.– P. 035104.
Shmyryeva A.N., Borisov A.V., Maksimchuk N.V. Electronic sensors Built on Nanostructured Cerium Oxide Films // J. Nanotechnologies in Russia.– 2010.–vol.5.– № 5-6.– Pp. 382-389.
