Структури Al/нанокристалічний CeOx/Si/Al для фотодетекторів на основі гетеропереходу
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Виготовлено та досліджено структури метал/нанокристалічний-CeOx/Si з метою створення фтотодетекторів на основі гетеропереходу. Фоточутливість отриманих структур у видимому діапазоні становить 330 мкA/Лм∙В, густина поверхневих станів – на рівні 7∙1010 см-2∙еВ-1. Діелектрична проникненість плівок CeOx на постійному струмі становить 15. Тонкі (80 нм) плівки оксиду церію в структурах Al/nc-CeOx/Si/Al були отримані методом «вибухового випаровування». Було досліджено вплив технологічних факторів на мікроструктуру плівок CeOx, а також на фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Виявлено, що нанокристалічна плівка CeOx в отриманих структурах Al/nc-CeOx/Si/Al – це напівпровідник з електронним типом електропровідності та об’ємним опором в межах 0,5-30 МОм∙см.
Бібл. 9, рис. 2 .
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Borisov A. V., Shmyryeva A. N., Maksimchuk N. V. Nanocrystalline Films of Cerium Oxide for Biolu-minescent Sensory Systems // J. Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies.– 2009.– vol.7.– Pp. 245-254.
Channei D., Nakaruk A., Phanichphant S., Koshy P. and Sorrell C. C. Cerium dioxide thin films using spin coating // Journal of Chemistry.– 2013.– vol. 2013.– Pp. 579284–579287.
Iordanova I., Popova L., Aleksandrova P., Beshkov G., Vlahkov E., Mirchev R., Blagoev B. X-ray in-vestigation of annealed CeO2 films prepared by sputtering on Si substrates // J. Thin Solid Films.– 2007.– vol. 515.– Pp. 8078–8081.
Ivanov V.K., Polezhaeva O.S., Tretiakov Y.D. Nanocrystalline cerium dioxide: synthesis, structure-sensitive properties and promising field of application // Russian Chemical Journal.– 2009.– vol.53.– № 2.– Pp. 56-67.
Maksimchuk N.V., Shmyryeva A.N., Borisov A.V. Properties and Applications of Nanocrystalline Ceri-um Oxide Films // J. Technology and Design in Electronic Equipment.– 2010.– № 5-6.– Pp. 54-59.
McGill T.C. Development and applications of heterojunctions for nanoelectronics for silicon // Final report, California institute of technology.– November 2.– 2002.
Melnik V.G., Nazarenko V.I., Starodub N.F., Maksimchuk N.V., Shmyryeva A.N. Electronic Biolumi-nescent Device for Determination of Toxic Substances // J. Electronics and Communications.– 2008.– part 2.– Pp. 110-114.
Patsalas Р., Logothetidis S. Structure-dependent electronic properties of nanocrystalline cerium oxide // J. Physical Review.– 2003.– vol. B 68.– P. 035104.
Shmyryeva A.N., Borisov A.V., Maksimchuk N.V. Electronic sensors Built on Nanostructured Cerium Oxide Films // J. Nanotechnologies in Russia.– 2010.–vol.5.– № 5-6.– Pp. 382-389.
