Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Показано, что электромиграция ионов кислорода под действием переменных электрических полей является основной причиной возникновения двузначной зависимости тока от напряжения в контактах металлического электрода со сложным оксидом переходных металлов. Этот эффект предлагается использовать для существенного расширения функциональных возможностей мемристора, нового базового элемента наноэлектроники.
Библ. 11, рис. 3.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Pershin Yu, di Ventra M. (2011), [Memory effects in complex materials and nanoscale systems]. Advances in Physics. Vol. 60, no 2, pp. 145-227.
Sawa A. (2008), [Resistive switching in transition metal oxides]. Materials Today. Vol. 11, no 6. pp. 28-36.
Larkin S.Yu., Boylo I.V., Belogolovskii M.A., Plecenik T., Tomasek M. (2009), [Resistance switching mechanism in yttrium-based cuprate films]. Proceedings of the 17th International Symposium. “Nanostructures: Physics and Technology”. Minsk, Ioffe Physical-Technical Institute, pp. 272-273.
Chandrasekhar N., Valls O.T., Goldman A.M. (1993), [Mechanism for electric field effects observed in YBa2Cu3O7-x films]. Physical Review Letters. Vol. 71, no 7. pp. 1079-1082.
Belogolovskiy M.A. (2011), [The kinetics of oxygen vacancies near the surface of complex transition metal oxides]. Mezhdunarodnaya nauchnaya konferentsiya «Himicheskaya termodinamika i kinetika. Sb. dokl. Donetsk: Donetska polItehnIka, pp. 12-13. (Rus.)
Zhang H.J., Zhang X.P., Shi J.P., Tian H.F., Zhao Y.G. (2009), [Effect of oxygen content and superconductivity on the nonvolatile resistive switching inYBa2Cu3O6+x/Nb-doped SrTiO3 heterojunctions]. Applied Physics Letters. Vol. 94, no 9. pp. 092111-1 – 092111-3.
Valiev K.A., Goldshteyn R.V., Zhitnikov Yu.V., Mahviladze T.M., Saryichev M.E. (2009), [Theory and modeling of nano-and micro fracture of thin film conductors and durability of metallization of integrated circuits. Chast I]. Mikroelektronika. Vol. 38. no 6. pp. 363-384. (Rus.)
Yamamoto K., Lairson B.M., Bravman J.C., Geballe T.H. (1991), [Oxidation kinetics of YBa2Cu307-х thin films in the presence of atomic oxygen and molecular oxygen by in-situ resistivity measurements]. Journal of Applied Physics, Vol. 69, no 10. pp. 7189-7201.
Inoue S., Kawai M., Ichikawa N., Kageyama H., Paulus W., Shimakawa Y. (2010), [Anisotropic oxygen diffusion at low temperature in perovskite-structure iron oxides]. Nature Chemistry. Vol. 2, no. 3. pp. 213-217.
Belogolovskii M.A. (2009), [Interface resistive switching effects in bulk manganites]. Central European Journal of Physics. Vol. 7, no 2. pp. 304-309.
Shriffer D.R. (1973), [Single-particle tunneling in superconductor]. V kn.: Tunnelnyie yavleniya v tverdyh telah. Pod red. E. Burshteyna i S. Lundkvista. Moskva: Mir, pp. 274-290. (Rus)
