Наноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Показано, що електроміграція іонів кисню під дією перемінних електричних полів є основною причиною виникнення двозначної залежності струму від напруги в контактах металевого електрода зі складним оксидом перехідних металів. Цей ефект пропонується використовувати для істотного розширення функціональних можливостей мемристора, нового базового елемента наноелектроніки.
Бібл. 11, рис. 3.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Pershin Yu, di Ventra M. (2011), [Memory effects in complex materials and nanoscale systems]. Advances in Physics. Vol. 60, no 2, pp. 145-227.
Sawa A. (2008), [Resistive switching in transition metal oxides]. Materials Today. Vol. 11, no 6. pp. 28-36.
Larkin S.Yu., Boylo I.V., Belogolovskii M.A., Plecenik T., Tomasek M. (2009), [Resistance switching mechanism in yttrium-based cuprate films]. Proceedings of the 17th International Symposium. “Nanostructures: Physics and Technology”. Minsk, Ioffe Physical-Technical Institute, pp. 272-273.
Chandrasekhar N., Valls O.T., Goldman A.M. (1993), [Mechanism for electric field effects observed in YBa2Cu3O7-x films]. Physical Review Letters. Vol. 71, no 7. pp. 1079-1082.
Belogolovskiy M.A. (2011), [The kinetics of oxygen vacancies near the surface of complex transition metal oxides]. Mezhdunarodnaya nauchnaya konferentsiya «Himicheskaya termodinamika i kinetika. Sb. dokl. Donetsk: Donetska polItehnIka, pp. 12-13. (Rus.)
Zhang H.J., Zhang X.P., Shi J.P., Tian H.F., Zhao Y.G. (2009), [Effect of oxygen content and superconductivity on the nonvolatile resistive switching inYBa2Cu3O6+x/Nb-doped SrTiO3 heterojunctions]. Applied Physics Letters. Vol. 94, no 9. pp. 092111-1 – 092111-3.
Valiev K.A., Goldshteyn R.V., Zhitnikov Yu.V., Mahviladze T.M., Saryichev M.E. (2009), [Theory and modeling of nano-and micro fracture of thin film conductors and durability of metallization of integrated circuits. Chast I]. Mikroelektronika. Vol. 38. no 6. pp. 363-384. (Rus.)
Yamamoto K., Lairson B.M., Bravman J.C., Geballe T.H. (1991), [Oxidation kinetics of YBa2Cu307-х thin films in the presence of atomic oxygen and molecular oxygen by in-situ resistivity measurements]. Journal of Applied Physics, Vol. 69, no 10. pp. 7189-7201.
Inoue S., Kawai M., Ichikawa N., Kageyama H., Paulus W., Shimakawa Y. (2010), [Anisotropic oxygen diffusion at low temperature in perovskite-structure iron oxides]. Nature Chemistry. Vol. 2, no. 3. pp. 213-217.
Belogolovskii M.A. (2009), [Interface resistive switching effects in bulk manganites]. Central European Journal of Physics. Vol. 7, no 2. pp. 304-309.
Shriffer D.R. (1973), [Single-particle tunneling in superconductor]. V kn.: Tunnelnyie yavleniya v tverdyh telah. Pod red. E. Burshteyna i S. Lundkvista. Moskva: Mir, pp. 274-290. (Rus)
