Морфологія поверхні мікроструктурованого пористого кремнію
Основний зміст сторінки статті
Анотація
В роботі за допомогою РЕМ-досліджень вивчалася морфологія поверхні мікроструктурованих шарів пористого кремнію. одержаних хімічним способом. Конфігурація пір, їх розміри та кількість залежать, від типу, орієнтації та рівня легування основи. За наявності більшого кількості дефектів (низькоомні та неполіровані підкладки) пори вузькі (до 100 нм) та Довгі (до 10 мкм). Круглі пори діаметром до 1 мкм утворюються на полірованих і. високоомні підкладки. Товщина комірчастого шару залежить від часу травлення
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
L. T. Canham, “Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers”, Applied Physics Letters, vol. 57, no. 10, pp. 1046–1048, Sep. 1990 DOI:10.1063/1.103561
P. Kumar, P. Lemmens, M. Ghosh, F. Ludwig, and M. Schilling, “Effect of HF Concentration on Physical and Electronic Properties of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon”, Journal of Nanomaterials, vol. 2009, pp. 1–7, Jan. 2009 DOI:10.1155/2009/728957
E. ANGLIN, L. CHENG, W. FREEMAN, and M. SAILOR, “Porous silicon in drug delivery devices and materials☆”, Advanced Drug Delivery Reviews, vol. 60, no. 11, pp. 1266–1277, Aug. 2008 DOI: 10.1016/j.addr.2008.03.017
P. Kumar and P. Huber, “Effect of Etching Parameter on Pore Size and Porosity of Electrochemically Formed Nanoporous Silicon”, Journal of Nanomaterials, vol. 2007, pp. 1–4, Jan. 2007 DOI:10.1155/2007/89718
M. Guendouz, P. Joubert, and M. Sarret, “Effect of crystallographic directions on porous silicon formation on patterned substrates”, Materials Science and Engineering: B, vol. 69-70, pp. 43–47, Jan. 2000 DOI:10.1016/S0921-5107(99)00263-9
E. Mazel and F. Press, Planar technology of silicon devices, Moscow: Energy, 1974, p. 384.
