Управление свойствами наноструктур при создании технологических процессов построения наноприборов

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273819
Ключевые слова:
электронная и сканирующая туннельная литография, управление процессом создания наноструктур, наноприборы, зондовые методы литографии

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

И.Д. Войтович
А.И. Золот
Н.И. Ходаковский
А.А. Мержвинский
П.А. Мержвинский

Аннотация

Рассмотрены возможности комбинированных комплексов, которые состоят из установок электронной и сканирующей тун нельной литографий и позволяют получать экспериментальные образцы наноприборов из структур размером в несколько десятков атомных слоев. Показано, что создание электронного прибора нанометровых размеров может быть осуществлено путем сочетания технологии формирования наноструктур в системе «острие-подложка» и наличия узла управления для высокоскоростного построения задаваемых программно наноэлементов

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Войтович, И. ., Золот, А. ., Ходаковский, Н. ., Мержвинский, А. ., & Мержвинский, П. . (2011). Управление свойствами наноструктур при создании технологических процессов построения наноприборов. Электроника и Связь, 16(1), 12–14. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273819
Выпуск
Том 16 № 1 (2011)
Раздел
Наноструктуры и нанотехнологии в электронике
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

N. Khodakovsky and A. Zolot, “Usagedatabases of cluster structures when buildingtechnological processes of creationcomponents of nanodevices”, in V Internationalnative scientific and technical conference"Electronics and Informatics - 2005", 23-25.11.2005, pp. 337–238.

A. Zolot and N. Khodakovsky, “Studyphysical and technological processesof nanostructures to create nanodevicesditch and control of their properties”, Controlsystems and machines, no. 1, pp. 48–52, 2007.

Patents of Ukraine: №№ UA39552, UA77015, UA90571

I. Obukhov, “About the possibility of applicationSTM-AFM lithography for creating newtypes of quantum devices”, Mikrosistem-naya technique, no. 6, pp. 34–37, 2003.

I. Obukhov, Modeling the transferseries in mesoscopic structures, Sevastopol: Weber, 2005, p. 226.

A. Zolot, N. Khodakovsky, and I. Yavorsky, “Model of the process of transfer of atoms during the formationmodeling of nanostructures”, in V Internationalnaya scientific and technical conference "Elec-tronics and informatics - 2005", 23-25.11.2005, pp. 20–21.

Zolot A.I., Larkin S.Yu., Khodakovsky M.I., Korzhinsky F.J., Merzhvinsky P.A. Priestry for the preparation of nanostructures, Patent of Ukraine, nor on wines UA 80154, Bull. No. 13, 2007

V. Verbitsky, Ionic technologies inelectronics, Kyiv: MP "Lesya", 2002, p. 376.