Получение и структура тонких пленок CuInSe2 для солнечных элементов при низких температура подложки

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С.Н. Григоров
А.В. Таран
В.С. Таран
А.И. Тимошенко

Аннотация

Эпитаксиальные плёнки CIS были выращены на (001) KCl с подслоем PbS при 400оС. Отжиг плёнок (α + β)-CIS на ситалле в несамостоятельном газовом разряде при 550oC приводит к образованию фазы α-CIS

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Григоров, С. ., Таран, А. ., Таран, В., & Тимошенко, А. . (2011). Получение и структура тонких пленок CuInSe2 для солнечных элементов при низких температура подложки. Электроника и Связь, 16(1), 27–29. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273867
Раздел
Твердотельная электроника

Библиографические ссылки

A. Rockett and R. W. Birkmire, “CuInSe for photovoltaic applications”, Journal of Applied Physics, vol. 70, no. 7, pp. R81-R97, Oct. 1991 DOI:10.1063/1.349175

K. Ramanathan, “Properties of 19.2% efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 thin-film solar cells”, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 11, no. 4, pp. 225–230, Jan. 2003. DOI:10.1002/pip.494

A. N. Tiwari, M. Krejci, F.-J. Haug, and H. Zogg, “12.8% Efficiency Cu(In,Ga)Se2 solar cell on a flexible polymer sheet”, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 7, no. 5, pp. 393–397, Sep. 1999. DOI:10.1002/(SICI)1099-159X(199909/10)7:5<393::AID-PIP289>3.0.CO;2-4