Отримання та структура тонких плівок CuInSe2 для сонячних елементів при низьких температури підкладки

Бічна панель сторінки статті

pdf (English)
Опубліковано: бер 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273867
Ключові слова:
структура, фазовий склад, електронна мікроскопія

Основний зміст сторінки статті

С.Н. Грігоров
А.В. Таран
В.С. Таран
А.І. Тимошенко

Анотація

Епітаксіальні плівки CIS були вирощені на (001) KCl з підшаром PbS при 400оС. Відпал плівок (α + β)-CIS на ситалі в несамостійному газовому розряді при 550oC призводить до утворення фази α-CIS

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Грігоров, С. ., Таран, А. ., Таран, В., & Тимошенко, А. (2011). Отримання та структура тонких плівок CuInSe2 для сонячних елементів при низьких температури підкладки. Електроніка та Зв’язок, 16(1), 27–29. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273867
Номер
Том 16 № 1 (2011)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

A. Rockett and R. W. Birkmire, “CuInSe for photovoltaic applications”, Journal of Applied Physics, vol. 70, no. 7, pp. R81-R97, Oct. 1991 DOI:10.1063/1.349175

K. Ramanathan, “Properties of 19.2% efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 thin-film solar cells”, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 11, no. 4, pp. 225–230, Jan. 2003. DOI:10.1002/pip.494

A. N. Tiwari, M. Krejci, F.-J. Haug, and H. Zogg, “12.8% Efficiency Cu(In,Ga)Se2 solar cell on a flexible polymer sheet”, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, vol. 7, no. 5, pp. 393–397, Sep. 1999. DOI:10.1002/(SICI)1099-159X(199909/10)7:5<393::AID-PIP289>3.0.CO;2-4