Электрические свойства слоев наноструктурированного кремния, полученного химическим способом

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Т.Ю. Билык

Аннотация

Целью данной работы является дальнейшее исследование взаимосвязи свойств наноструктурированных слоев с параметрами их получения. В работе исследовано изменение электрических парметров структур Al-por-Si-Al от времени обработки и с помощью дифференциального анализа определены способы переноса заряда в наноструктурированном слое. С ростом времени пищеварения растет количество нанокристаллических образований, что приводит к уменьшению проводимости слоя и образованию однонаправленного потенциального барьера.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Билык, Т. . (2010). Электрические свойства слоев наноструктурированного кремния, полученного химическим способом. Электроника и Связь, 15(3), 6–8. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.3.305790
Раздел
Наноструктуры и нанотехнологии в электронике

Библиографические ссылки

R. Ciach, Y. Dotsenko, V. Naumov, A. Shmyryeva, and P. Smertenko, “Injection technique for the study of solar cell test structures”, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 76, no. 4, pp. 613–624, Apr. 2003. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00271-4

A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova, O. M. Shmyryeva, E. A. Dobisz, and L. A. Eldada, “Complex studies of properties of nanostructured silicon”, in SPIE Optics + Photonics, San Diego, California, USA, 2006, p. 632716. DOI:10.1117/12.680668

V. Koval and A. Shmyreva, “Heterostructural transformers based on nanocrystalline silicon”, Radiotechnique, vol. 145, pp. 57–61, 2006.