Электрические свойства слоев наноструктурированного кремния, полученного химическим способом
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Целью данной работы является дальнейшее исследование взаимосвязи свойств наноструктурированных слоев с параметрами их получения. В работе исследовано изменение электрических парметров структур Al-por-Si-Al от времени обработки и с помощью дифференциального анализа определены способы переноса заряда в наноструктурированном слое. С ростом времени пищеварения растет количество нанокристаллических образований, что приводит к уменьшению проводимости слоя и образованию однонаправленного потенциального барьера.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
R. Ciach, Y. Dotsenko, V. Naumov, A. Shmyryeva, and P. Smertenko, “Injection technique for the study of solar cell test structures”, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 76, no. 4, pp. 613–624, Apr. 2003. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00271-4
A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova, O. M. Shmyryeva, E. A. Dobisz, and L. A. Eldada, “Complex studies of properties of nanostructured silicon”, in SPIE Optics + Photonics, San Diego, California, USA, 2006, p. 632716. DOI:10.1117/12.680668
V. Koval and A. Shmyreva, “Heterostructural transformers based on nanocrystalline silicon”, Radiotechnique, vol. 145, pp. 57–61, 2006.