Електричні властивості шарів наноструктурованого кремнію, отриманого хімічним способом
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Метою даної роботи є подальше дослідження взаємозв`язку властивостей наноструктурованих шарів з параметрами їх отримання. В роботі досліджена зміна електричних парметрів структур Al– por-Si–Al від часу обробки та за допомогою диференціального аналізу визначені способи переносу заряду в наноструктурованому шарі. Зі зростанням часу травлення зростає кількість нанокристалічних утворень що призводить до зменшення провідності шару та утворення однонаправленого потенціального бар`єру
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
R. Ciach, Y. Dotsenko, V. Naumov, A. Shmyryeva, and P. Smertenko, “Injection technique for the study of solar cell test structures”, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 76, no. 4, pp. 613–624, Apr. 2003. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00271-4
A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova, O. M. Shmyryeva, E. A. Dobisz, and L. A. Eldada, “Complex studies of properties of nanostructured silicon”, in SPIE Optics + Photonics, San Diego, California, USA, 2006, p. 632716. DOI:10.1117/12.680668
V. Koval and A. Shmyreva, “Heterostructural transformers based on nanocrystalline silicon”, Radiotechnique, vol. 145, pp. 57–61, 2006.
