Радиационная стойкость омических контактов к n-GaAs
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Проведены исследования радиационной стойкости омических контактов полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs, изготовленных за двумя типами технологии. Определена величина предела максимально допустимой дозы облучения, которая не приводит к деградации параметров омических контактов и их морфологии. Она составляет 2,58×104 Кл/кг, что на порядок выше радиационной стойкости транзисторов.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Vdovin V.I., Grusha S.A., Konakova R.V., Milenin V.V., Naumovets A.A., Khazan L.S., Thorik Yu.A., “Ordered lateral inhomogeneity of the transition layer in the AuGe system –GaAs”, Letters to ZhTF, vol. 18, no. 16, pp. 10–13, 1992.
E.V. Kiseleva, M.A. Kitaev, S.V. Obolensky, V.T. Trofimov, and V.A. Kozlov, “Radiation resistance of promising arsenidesgallium field-effect transistors Schottky”, Journal of Technical Physics, vol. 75, no. 4, pp. 136–138, 2005.
A.E. Belyaev, J. Breza, E.F. Venger, M. Vesely, I.Yu. Il’in, R.V. Konakova, J. Liday, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik, Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices, Kiev: Interpress LTD, 1998, p. 128.
Method for manufacturing microwave transistors: A.s. No. 283284 USSR, MKI HOL, Sinishchuk I.K., Grusha S.A., Ivashchuk A.V., Application No. 3185961 dated 12.01.1987. Publ. 3.10.1988, Sat. RI. Instrumentation. No. 1, p. 31, DSK
Bosyy V.I., Ivashchuk A.V., Kovalchuk V.N., Ilyin I.Yu., Konakova R.V., Solovyov E.A., Stovpovoy M.A., Rengevich A.E., Tarielashvili G.T., “Field effect transistors with Schottky barrier”, St. Petersburg Journal of Electronics, vol. 22, no. 1, pp. 52–55, 2000.
A.V. Ivashchuk, “Thermal regimes of formation of ohmic contacts to gallium arsenide”, Electronic technology and design equipment, no. 5 – 6, pp. 43–45, 2000.
A.V. Ivashchuk, “Formation of ohmic contacts withsimultaneous cleaning of the arsenide surfacegallium and its doping with germanium atoms”, Scientific news of NTU KPI, no. 2, pp. 5–8, 2000.
V.S. Vavilov, A.E. Kyv, and O.R. Niyazova, Mechanisms of formation and migration of defects insemiconductors, Moscow: Nauka, 1981, p. 368.
Ivashchuk A.V., Burmaka V.A., Sinishchuk I.K., “Radiation resistance of ohmic contacts to n-GaAs”, SE, no. 6, pp. 47–49, Jan. 1989.
E.A. Bryantseva, V.V. Lopatin, and V.E. Lyubchenko, “Features of thin film coalescence Au-Ge when forming contacts of limited sizes”, FTT, vol. 30, no. 3, pp. 645–648, 1988.
