Радіаційна стійкість омічних контактів до n-GaAs
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Проведено дослідження радіаційної стійкості омічних контактів польових транзисторів із бар'єром Шоттки на GaAs, виготовлених за двома типами технології. Визначено величину межі максимально допустимої дози опромінення, яка не призводить до деградації параметрів омічних контактів та їхньої морфології. Вона становить 2,58×104 Кл/кг, що значно вище радіаційної стійкості транзисторів.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Vdovin V.I., Grusha S.A., Konakova R.V., Milenin V.V., Naumovets A.A., Khazan L.S., Thorik Yu.A., “Ordered lateral inhomogeneity of the transition layer in the AuGe system –GaAs”, Letters to ZhTF, vol. 18, no. 16, pp. 10–13, 1992.
E.V. Kiseleva, M.A. Kitaev, S.V. Obolensky, V.T. Trofimov, and V.A. Kozlov, “Radiation resistance of promising arsenidesgallium field-effect transistors Schottky”, Journal of Technical Physics, vol. 75, no. 4, pp. 136–138, 2005.
A.E. Belyaev, J. Breza, E.F. Venger, M. Vesely, I.Yu. Il’in, R.V. Konakova, J. Liday, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, Yu.A. Tkhorik, Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices, Kiev: Interpress LTD, 1998, p. 128.
Method for manufacturing microwave transistors: A.s. No. 283284 USSR, MKI HOL, Sinishchuk I.K., Grusha S.A., Ivashchuk A.V., Application No. 3185961 dated 12.01.1987. Publ. 3.10.1988, Sat. RI. Instrumentation. No. 1, p. 31, DSK
Bosyy V.I., Ivashchuk A.V., Kovalchuk V.N., Ilyin I.Yu., Konakova R.V., Solovyov E.A., Stovpovoy M.A., Rengevich A.E., Tarielashvili G.T., “Field effect transistors with Schottky barrier”, St. Petersburg Journal of Electronics, vol. 22, no. 1, pp. 52–55, 2000.
A.V. Ivashchuk, “Thermal regimes of formation of ohmic contacts to gallium arsenide”, Electronic technology and design equipment, no. 5 – 6, pp. 43–45, 2000.
A.V. Ivashchuk, “Formation of ohmic contacts withsimultaneous cleaning of the arsenide surfacegallium and its doping with germanium atoms”, Scientific news of NTU KPI, no. 2, pp. 5–8, 2000.
V.S. Vavilov, A.E. Kyv, and O.R. Niyazova, Mechanisms of formation and migration of defects insemiconductors, Moscow: Nauka, 1981, p. 368.
Ivashchuk A.V., Burmaka V.A., Sinishchuk I.K., “Radiation resistance of ohmic contacts to n-GaAs”, SE, no. 6, pp. 47–49, Jan. 1989.
E.A. Bryantseva, V.V. Lopatin, and V.E. Lyubchenko, “Features of thin film coalescence Au-Ge when forming contacts of limited sizes”, FTT, vol. 30, no. 3, pp. 645–648, 1988.
