Электрические свойства нитрида алюминия в сильном поле

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf (Українська)
Опубликован: Mar 29, 2010
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.3.317521

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В.А. Москалюк
М.Г. Овчарук

Аннотация

С использованием аналитических выражений для времени релаксации при различных механизмах рассеяния рассмотрены свойства переноса носителей заряда в сильном электрическом поле для нитрида алюминия с решеткой типа «цинковой обманки». Рассчитаны температурная зависимость слабополевой подвижности, полескоростная и поле-температурная характеристики и функция заселенности долин в сильном поле.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Москалюк, В. ., & Овчарук, М. . (2010). Электрические свойства нитрида алюминия в сильном поле. Электроника и Связь, 15(3), 38–41. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.3.317521
Выпуск
Том 15 № 3 (2010)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

J. W. Orton and C. T. Foxon, “Group III nitride semiconductors for short wavelength light-emitting devices”, Reports on Progress in Physics, vol. 61, no. 1, pp. 1–75, Jan. 1998. DOI:10.1088/0034-4885/61/1/001

F. A. Ponce and D. P. Bour, “Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices”, Nature, vol. 386, no. 6623, pp. 351–359, Mar. 1997. DOI:10.1038/386351a0

S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, “III–nitrides: Growth, characterization, and properties”, Journal of Applied Physics, vol. 87, no. 3, pp. 965–1006, Feb. 2000. DOI:10.1063/1.371971

I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell, J. E. Greene, L. Hultman, and J.-E. Sundgren, “Synthesis of metastable epitaxial zinc-blende-structure AlN by solid-state reaction”, Applied Physics Letters, vol. 60, no. 20, pp. 2491–2493, May 1992 DOI:10.1063/1.106943

R. F. Davis, “Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride”, Physica B: Condensed Matter, vol. 185, no. 1-4, pp. 1–15, Apr. 1993. DOI:10.1016/0921-4526(93)90210-W

I. Vurgaftman and J. R. Meyer, “Band parameters for nitrogen-containing semiconductors”, Journal of Applied Physics, vol. 94, no. 6, pp. 3675–3696, Sep. 2003. Doi:10.1063/1.1600519

W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, “Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1− Al N”, Journal of Applied Physics, vol. 79, no. 1, pp. 188–194, Jan. 1996. DOI:10.1063/1.360930

S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, “Electronic structure calculations on nitride semiconductors”, Semiconductor Science and Technology, vol. 14, no. 1, pp. 23–31, Jan. 1999. DOI:10.1088/0268-1242/14/1/003

M. Suzuki and T. Uenoyama, “Optical gain and crystal symmetry in III–V nitride lasers”, Applied Physics Letters, vol. 69, no. 22, pp. 3378–3380, Nov. 1996. DOI:10.1063/1.117265

A. T. Meney, E. P. O’Reilly, and A. R. Adams, “Optical gain in wide bandgap GaN quantum well lasers”, Semiconductor Science and Technology, vol. 11, no. 6, pp. 897–903, Jun. 1996. DOI:10.1088/0268-1242/11/6/008

K. Kulikov and V. Moskaluk, “High-frequency parameters of gallium nitride”, Technique andMicrowave devices, no. 2, p. 48, 2008.

V. Moskaluk, Physics of electronic processes, vol. II, Dynamic processes, Kyiv: Avers, 2004, p. 186.

C. Bulutay, B. K. Ridley, and N. A. Zakhleniuk, “Electron momentum and energy relaxation rates in GaN and AlN in the high-field transport regime”, Physical Review B, vol. 68, no. 11, Sep. 2003. DOI:10.1103/PhysRevB.68.115205