Електричні властивості нітриду алюмінію у сильному полі
Основний зміст сторінки статті
Анотація
З використанням аналітичних виразів для часу релаксації при різних механізмах розсіювання розглянуто властивості перенесення носіїв заряду в сильному електричному полі для алюмінію нітриду з гратами типу «цинкової обманки». Розраховані температурна залежність слабопольової рухливості, полешвидкісна та поле-температурна характеристики та функція заселеності долин у сильному полі.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
J. W. Orton and C. T. Foxon, “Group III nitride semiconductors for short wavelength light-emitting devices”, Reports on Progress in Physics, vol. 61, no. 1, pp. 1–75, Jan. 1998. DOI:10.1088/0034-4885/61/1/001
F. A. Ponce and D. P. Bour, “Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices”, Nature, vol. 386, no. 6623, pp. 351–359, Mar. 1997. DOI:10.1038/386351a0
S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, “III–nitrides: Growth, characterization, and properties”, Journal of Applied Physics, vol. 87, no. 3, pp. 965–1006, Feb. 2000. DOI:10.1063/1.371971
I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell, J. E. Greene, L. Hultman, and J.-E. Sundgren, “Synthesis of metastable epitaxial zinc-blende-structure AlN by solid-state reaction”, Applied Physics Letters, vol. 60, no. 20, pp. 2491–2493, May 1992 DOI:10.1063/1.106943
R. F. Davis, “Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride”, Physica B: Condensed Matter, vol. 185, no. 1-4, pp. 1–15, Apr. 1993. DOI:10.1016/0921-4526(93)90210-W
I. Vurgaftman and J. R. Meyer, “Band parameters for nitrogen-containing semiconductors”, Journal of Applied Physics, vol. 94, no. 6, pp. 3675–3696, Sep. 2003. Doi:10.1063/1.1600519
W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, “Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1− Al N”, Journal of Applied Physics, vol. 79, no. 1, pp. 188–194, Jan. 1996. DOI:10.1063/1.360930
S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, “Electronic structure calculations on nitride semiconductors”, Semiconductor Science and Technology, vol. 14, no. 1, pp. 23–31, Jan. 1999. DOI:10.1088/0268-1242/14/1/003
M. Suzuki and T. Uenoyama, “Optical gain and crystal symmetry in III–V nitride lasers”, Applied Physics Letters, vol. 69, no. 22, pp. 3378–3380, Nov. 1996. DOI:10.1063/1.117265
A. T. Meney, E. P. O’Reilly, and A. R. Adams, “Optical gain in wide bandgap GaN quantum well lasers”, Semiconductor Science and Technology, vol. 11, no. 6, pp. 897–903, Jun. 1996. DOI:10.1088/0268-1242/11/6/008
K. Kulikov and V. Moskaluk, “High-frequency parameters of gallium nitride”, Technique andMicrowave devices, no. 2, p. 48, 2008.
V. Moskaluk, Physics of electronic processes, vol. II, Dynamic processes, Kyiv: Avers, 2004, p. 186.
C. Bulutay, B. K. Ridley, and N. A. Zakhleniuk, “Electron momentum and energy relaxation rates in GaN and AlN in the high-field transport regime”, Physical Review B, vol. 68, no. 11, Sep. 2003. DOI:10.1103/PhysRevB.68.115205
