Импульсные транспортные свойства тринитридов

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: Mar 6, 2015
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.5.38778
Ключевые слова:
многодолинные полупроводники, нитриды алюминия, галлия, индия, «всплеск» дрейфовой скорости, времена релаксации импульса, энергии, междолинной релаксации

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

K. Bol
V. Moskaliuk

Аннотация

Используя релаксационные уравнения баланса энергии, импульса и заселенности долин проведено моделирование нестационарного эффекта «всплеска» скорости дрейфа в тринитридах (AIIIN). Показана возможность многократного превышения скорости над стационарными значениями.

Библ.5, рис. 3, табл.1.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Bol, K., & Moskaliuk, V. (2015). Импульсные транспортные свойства тринитридов. Электроника и Связь, 19(5), 26–31. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.5.38778
Выпуск
Том 19 № 5 (2014)
Раздел
вакуумная, плазменная и квантовая электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Bol K.K., Moskaliuk V.A. (2013), “Modeling of velocity “overshoot” in the multivalley semiconductors” Proceedings of the XXXIII International Scientific Conference ELNANO-2013, pp 123-125.

Shur М. (1987), “GaAs Devices and Circuits”, Plenum Press, New York and London, p. 632.

Shur М. (1999), “Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN”, American Institute of Physics.

Seeger К. (1973), “Semiconductor Physics”, Wein: Springer-Verlag, p. 616.

Moskaliuk V.A. (2004), “Physics of Electron Processes. Dynamic Processes”, Textbook, Kyiv: Polіtehnіka, p. 180. (Rus)