Імпульсні транспортні властивості трінітрідів
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Використовуючи релаксаційні рівняння балансу енергії, імпульсу і заселеності долин проведено моделювання нестаціонарного ефекту «сплеску» швидкості дрейфу в трінітрідах (AIIIN). Показана можливість багаторазового перевищення швидкості над стаціонарними значеннями.
Бібл. 3, рис. 2, табл. 1.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Bol K.K., Moskaliuk V.A. (2013), “Modeling of velocity “overshoot” in the multivalley semiconductors” Proceedings of the XXXIII International Scientific Conference ELNANO-2013, pp 123-125.
Shur М. (1987), “GaAs Devices and Circuits”, Plenum Press, New York and London, p. 632.
Shur М. (1999), “Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN”, American Institute of Physics.
Seeger К. (1973), “Semiconductor Physics”, Wein: Springer-Verlag, p. 616.
Moskaliuk V.A. (2004), “Physics of Electron Processes. Dynamic Processes”, Textbook, Kyiv: Polіtehnіka, p. 180. (Rus)
