Диэлектрические пленки оксинитрида алюминия полученные ре-активным распылением
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Изучено влияние на электрофизические и химические свойства диэлектрических пленок оксинитрида алюминия технологических режимов их формирования методом реактивного магнетронного распыления. Исследован методом ИК – спектроскопии, ОЖЕ – спектроскопии и электронной микроскопии элементный и структурный состав синтезированных пленок. Обсуждены особенности спектральных и электрофизических параметров (удельного сопротивления, электрической прочности, термической стабильности и химической устойчивости) пленок. Даны рекомендации режимов синтеза пленок, обеспечивающих оптимизацию электрофизических параметров пленок на заданные эксплуатационные свойства.
Библ. 13, рис. 3, табл. 1.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Zolotuhin, I. V., Kalinin, Ju. V., Sitnikov, A. V. (2006). Nanokompozitnye struktury na puti v nanojelektroniku [Nanocomposite structure on the way to nanoelectronics]. Priroda, No. 1, Pp.11-19. (Rus)
Machulyanskiy, A. V. (2007). High-frequency conductivity of nano-sized metal particles. Electronics & Telecommunication. Part.1, Pp.41–45.
Beresnev, O. V., Sobol', D. A. (2012). Kolesnikov i dr. Fiziko-himicheskie i mehani-cheskie svojstva nanostrukturnyh nitridnyh pok-rytij /V.M. [Physico-chemical and mechanical properties of nanostructured nitride coatings]. Metallofiz. novejshie tehnol, Vol.34, No. 2, Pp.139-160. (Rus)
Pogrebnjak, A. D., Muhammed, A. K. M. (2012). Properties of AlN films deposited to silicon substrates. International Journal of Structronics & Mechatronics. Vol. 1, No. 2, Pp. 1-3.
Stafiniak, A., Muszynska, D., Szyszka, A., et al. (2009). Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering. Optica Applicata. Vol.39, No. 4, Pp. 717-722.
Garcia-Mendez, M., Morales-Rodriquez, S., Machorro, R., et al. (2008). Characterixation of AlN thin films deposited by DC reactive magne-tron sputtering. Revista mexicana de fisica. Vol. 54,No. 4, Pp.271-278.
Pogrebnjak, A. D., Muhammed, A. K. M., Ivashhenko, M. N., i dr. (2012). Strukturnye issledovanija plenok oksida cinka i nitrida aljuminija , roluchennyh metodami CVD i magnetronnogo raspylenija [Structural studies of zinc oxide films and aluminum nitride roluchennyh methods CVD and magnetron sputtering]. FIP, Vol. 10, No. 2, Pp. 177-182. (Rus)
Gerova, E. V., Ivanov, N. A., Kirov, K. J. (1981). Deposition of AIN thin films by magne-tron reactive sputtering. Thin Solid Films, Vol. 86, No. 2, Pp. 201-206.
Rzhanova, A. V. (1982). Nitrid kremnija v elek-tronike. [Silicon nitride in electronics]. Novosi-birsk, Nauka, P. 200. (Rus)
Rzhanova, A. V. (1983). Еllipsometrija - metod issledovanija poverhnosti [Ellipsometry - re-search method surface]. Novosibirsk, Nauka, P. 422. (Rus)
Jones, D. J., French, R. H., Mullejans, H., et al. (1999). Optical properties of AlN determined by vacuum ultraviolet spectroscopy and spectro-scopic ellipsometry data. J. Mater. Res, Vol.14, No. 11, Pp. 4337-4344.
Anderson, A. M. (1977). Primenenie spektrov kombinacionnogo rassejanija. [Application of Raman spectra]. Moskva, Mir, P. 586.
Li, J., Nam, K. B., Nakarmi, M. L., et al. (2003). Band structure and fundamental optical transi-tions in wurtzite AlN. Appl. Phys. Lett, Vol.83, No. 25, Pp. 515-519. (Rus)
