Діелектричні плівки оксинітриду алюмінію отримані реактивним розпиленням
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Вивчено вплив на електрофізичні та хімічні властивочті діелектричних плівок оксинітриду алюмінію технологічних режимів їхнього формування методом реактивного магнетронного напилення. Досліджено методом ІЧ-спектроскопії, ОЖЕ-спектроскопії та електронної мікроскопії електронний та структурний склад синтезованих плівок. Обговорено властивості спектральних та електрофізичних параметрів (питомого опору, електричної міцності, термічної стабільності та хімічної стійкості) плівок. Надано рекомендації щодо режимів синтезу плівок з метою забезпечення оптимізації електрофізичних параметрів на задані експлуатаційні властивості.
Бібл. 13, рис. 3, табл. 1
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Zolotuhin, I. V., Kalinin, Ju. V., Sitnikov, A. V. (2006). Nanokompozitnye struktury na puti v nanojelektroniku [Nanocomposite structure on the way to nanoelectronics]. Priroda, No. 1, Pp.11-19. (Rus)
Machulyanskiy, A. V. (2007). High-frequency conductivity of nano-sized metal particles. Electronics & Telecommunication. Part.1, Pp.41–45.
Beresnev, O. V., Sobol', D. A. (2012). Kolesnikov i dr. Fiziko-himicheskie i mehani-cheskie svojstva nanostrukturnyh nitridnyh pok-rytij /V.M. [Physico-chemical and mechanical properties of nanostructured nitride coatings]. Metallofiz. novejshie tehnol, Vol.34, No. 2, Pp.139-160. (Rus)
Pogrebnjak, A. D., Muhammed, A. K. M. (2012). Properties of AlN films deposited to silicon substrates. International Journal of Structronics & Mechatronics. Vol. 1, No. 2, Pp. 1-3.
Stafiniak, A., Muszynska, D., Szyszka, A., et al. (2009). Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering. Optica Applicata. Vol.39, No. 4, Pp. 717-722.
Garcia-Mendez, M., Morales-Rodriquez, S., Machorro, R., et al. (2008). Characterixation of AlN thin films deposited by DC reactive magne-tron sputtering. Revista mexicana de fisica. Vol. 54,No. 4, Pp.271-278.
Pogrebnjak, A. D., Muhammed, A. K. M., Ivashhenko, M. N., i dr. (2012). Strukturnye issledovanija plenok oksida cinka i nitrida aljuminija , roluchennyh metodami CVD i magnetronnogo raspylenija [Structural studies of zinc oxide films and aluminum nitride roluchennyh methods CVD and magnetron sputtering]. FIP, Vol. 10, No. 2, Pp. 177-182. (Rus)
Gerova, E. V., Ivanov, N. A., Kirov, K. J. (1981). Deposition of AIN thin films by magne-tron reactive sputtering. Thin Solid Films, Vol. 86, No. 2, Pp. 201-206.
Rzhanova, A. V. (1982). Nitrid kremnija v elek-tronike. [Silicon nitride in electronics]. Novosi-birsk, Nauka, P. 200. (Rus)
Rzhanova, A. V. (1983). Еllipsometrija - metod issledovanija poverhnosti [Ellipsometry - re-search method surface]. Novosibirsk, Nauka, P. 422. (Rus)
Jones, D. J., French, R. H., Mullejans, H., et al. (1999). Optical properties of AlN determined by vacuum ultraviolet spectroscopy and spectro-scopic ellipsometry data. J. Mater. Res, Vol.14, No. 11, Pp. 4337-4344.
Anderson, A. M. (1977). Primenenie spektrov kombinacionnogo rassejanija. [Application of Raman spectra]. Moskva, Mir, P. 586.
Li, J., Nam, K. B., Nakarmi, M. L., et al. (2003). Band structure and fundamental optical transi-tions in wurtzite AlN. Appl. Phys. Lett, Vol.83, No. 25, Pp. 515-519. (Rus)
