Математическая модель межузлового аспекта пространственной кристаллической решётки

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: May 30, 2016
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2015.20.5.69923
Ключевые слова:
межузловой аспект, кристаллическая решетка, правильная система точек, группы Федорова, решетка Браве, кристаллофизика, наноэлектроника

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Ганна Вікторівна Шевлякова
студентка Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут"
https://orcid.org/0000-0001-5380-8394
Л. М. Королевич
Олександр Васильович Борисов

Аннотация

В работе рассматривается проблематика математической инвариантности межузлового аспекта кристаллической решётки. Благодаря введению понятия кристаллосферической системы координат и модифицированной нормальной формы Гессе математически доказана инвариантность описания кристаллической решётки в межузловом аспекте. Последний обобщён на все пространственные фёдоровские группы.

Библ. 6, рис. 2, табл. 2.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Шевлякова, Г. В., Королевич, Л. М., & Борисов, О. В. (2016). Математическая модель межузлового аспекта пространственной кристаллической решётки. Электроника и Связь, 20(5), 6–14. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2015.20.5.69923
Выпуск
Том 20 № 5 (2015)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Ahn, C. H., Senthil, K., Cho. H. K., & Lee, S. Y. (2013). Artificial semiconductor/insulator superlattice channel structure for high-performance oxide thin-film transistors. Scientific Reports,3, 1-4.

Hahn, Th. (2005). International tables ror crystallography (5th ed., Vol. A). Springer.

Bokij. G. B. (1960). Kristallohimiya [Crystallochemistry] (2nd ed). Moskva: Izdatel'stvo Moskovskogo universiteta [in Russian]

Delone, B. N., & Rajkov, D. A. (1949). Analiticheskaya geometriya [Analytical Geometry] (Vol 2). Moskva-Leningrad: GITTL. (Rus.)

Korolevich, L. N., Borisov, A. V., & Rodionov, M. K. (2011). Mezhuzlovoy aspekt kristallicheskoy reshetki [Intersites aspect of the crystal lattice]. Elektronika i svyaz. Tematicheskij vypusk "Elektronika i nanotehnologii" (4(63)), P. 32-38. (Rus.)

Sirotin, Ju. I., & Shaskol'skaja, M. P. (1979). Osnovy kristallofiziki [Fundamentals of crystallophysics] (2nd ed). Moskva: Glavnaja redakcija fiziko-matematicheskoj literatury "Nauka" (Rus.)