Анализ усиления квантовых каскадных лазеров
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Предложена математическая модель квантовой каскадной структуры для анализа характеристик лазера в терагерцовом диапазоне частот. На основе разработанной модели рассчитаны частоты генерации и амплитудно-частотные характеристики двух перспективных сверхрешеточных лазерных гетероструктур. Показана возможность оптимизации структур и характеристик квантовых каскадных лазеров (ККЛ) путем выбора геометрических и электрических параметров.
Библ. 9, рис. 4.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Kazarinov, R. F., Suris, R. A. (1972). Injection heterojunction laser with a diffraction grating on its con-tact surface. Sov. Phys. Semicond. Vol. 6. Pp. 1359-1365.
Faist, J., Capasso, F., Sivco, D. L., Sirtori, C., Hutchinson, A. L. and Cho, A. Y. (1994). Quantum Cas-cade Laser. Science.Vol. 264. No.5158. Pp. 553-556
Faist, J., Capasso, F., Sirtori, C. (1995).Vertical transition quantum cascade laser with Bragg confined excited state. Appl. Phys. Lett. Vol. 66. No. 5. Pp. 538.
Gmachl, C., Capasso, F., Sivco, D. L. and Cho, A. Y. (2001). Recent progress in quantum cascade lasers and applications. Rep. Prog. Phys. Vol. 64, No. 11. Pp. 1533 - 1601.
Giorgetta, F. R., Baumann, E., Hofstetter, D., Manz, C., Yang, Q., Kohler, K., and Graf, M. (2007). In-GaAs/AlAsSb quantum cascade detectors operating in the near infrared. Appl. Phys. Lett. Vol. 91. No. 11. Pp. 111-115.
Rostami, A., Rasooli, H., Baghban, H. (2011). Terahertz Technology. Fundamentals and Applications. Springer. New York. Pp. 2 – 16.
Rossi, F. (2011). Theory of Semiconductor Quantum Devices. Microscopic Modeling and Simulation Strategies. Springer. New York. Pp 167-211
Zasavitsky, I. I. (2012). Schemes of the active region in quantum cascade lasers. Quantum Electron-ics. Moscow. Vol. 42. No. 10. Pp. 863
Malyshev, K. V. (2013). Terahertz laser AlGaAs-quasiperiodic superlattices. Quantum Electronics. Moscow. Vol. 43. No. 6. Pp. 503-508.
Wittmann, A. (2009). High-performance quantum cascade laser sources for spectroscopic applica-tions. M.Sc., Technische Universitдt Mьnchen. Pp. 55
Plog, K. Chenk, L. (1989). Molecular beam epitaxy heterostructures and. Moscow: Mir, P. 600.
Zasavitsky, I. I., Pashkeev, D. A., Marmalyuk, A. A., Ryaboshtan,J. L., Mikaelyan, G. T. (2010). Quan-tum cascade laser obtained MOCVD. Quantum Electronics. Moscow. Vol. 40. No. 2. Pp. 95-99
Mamutin, V. V., Ustinov, V. M., Boetthcher, J., Kuenzel, H. (2010). Growing molecular - beam epitaxy and characterization of the quantum cascade laser at a wavelength of 5 microns. Semiconductors. Vol. 44. No. 7. Pp. 995-1001.