Критерій вибору діелектрика для кремнієвих МДН-структур
Бічна панель сторінки статті
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Розглядаються питання загального підходу до пошуку діелектрика для кремнієвих МДН-структур як альтернативного діоксиду кремнію (SiO2).
Показано, що на основі класичної теорії опису кристалічної решітки (вузловий аспект) неможливо одержати критерій вибору діелектрика для МДН-структур. Тому запропоновано новий – міжвузловий аспект – опису кристалічної решітки, на основі якого одержано загальний критерій вибору діелектрика для будь-якої напівпровідникової підкладки. Завдяки введенню нового характеристичного параметру кристалічної речовини – середньої довжини зв’язку – одержано аналітичний вираз для роботи виходу електрона з кристалу.
Встановлено, що найбільш придатним для кремнієвих МДН-структур є діоксид церію CeO2.
Бібл. 10, рис. 9.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
K. A. Valiev and A. A. Orlikovskii, “Ot mikro- i nanoelektroniki k tverdotelnym kvantovym kompiuteram [From micro- and nanoelectronics to solid-state quantum computers],” in Bazovie lektsii po elektronike [Basic lectures on electronics], V. M. Proleiko, Ed. Moscow: Tehnosphera, 2009, pp. 72–95.
S. Kar, Ed., High Permittivity Gate Dielectric Materials, vol. 43. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013, ISBN: 978-3-642-36534-8.
O. Engstrom, The MOS System. Cambridge: Cambridge University Press, 2014, ISBN: 9780511794490.
K. J. Hubbard and D. G. Schlom, “Thermodynamic stability of binary oxides in contact with silicon,” J. Mater. Res., vol. 11, no. 11, pp. 2757–2776, Nov. 1996, DOI: 10.1557/JMR.1996.0350.
G. Y. Krasnikov and N. A. Zaitsev, Sistema kremnii-dioksid kremniya submikronnyh SBIS [The silicon-silicon dioxide system of submicron VLSI]. Moscow: Tehnosphera, 2003, ISBN: 5-94836-008-3.
O. Engström et al., “Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends,” Solid. State. Electron., vol. 51, no. 4, pp. 622–626, Apr. 2007, DOI: 10.1016/j.sse.2007.02.021.
S. Kar, D. Misra, R. Singh, F. Gonzalez “Correlation between the material constants of and a figure of merit for the high-k gate dielectrics,” in Physics and Technology of High-K Gate Dielectrics ̵ 1. 28, 2003, pp. 13–24.
O. V. Borisov, L. N. Korolevych, and A. V. Shevliakova, “Fizicheskaya model mejuzlovogo aspekta prostranstvennoi kristallicheskoi reshyotki [Physical model of intersites aspect of space crystal lattice],” Electron. Commun., vol. 21, no. 2, pp. 10–17, Nov. 2016, DOI: 10.20535/2312-1807.2016.21.2.83920.
H. V. Shevliakova, L. M. Korolevych, and O. V. Borisov, “Matematicheskaya model mejuzlovogo aspekta prostranstvennoi kristallicheskoi reshyotki [Mathematical model of intersites aspect of space crystal lattice],” Electron. Commun., vol. 20, no. 5, pp. 6–14, May 2015, DOI: 10.20535/2312-1807.2015.20.5.69923.
L. Korolevych, A. Borisov, and H. Shevliakova, “Relationship between electron work function and crystal lattice constant,” in 2017 IEEE First Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON), 2017, pp. 623–627, DOI: 10.1109/UKRCON.2017.8100327.
