Метод визначення електричних параметрів діодів Шотткі
Бічна панель сторінки статті
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У статті розглянуто методику визначення за ВАХ таких електричних параметрів діодів Шотткі, як висота потенціального бар'єра, коефіцієнт неідеальності, струм насичення та послідовний опір матеріалу та контактів, а також фактори, які впливають на точність визначення цих параметрів. Розглянуто існуючі методики визначення вказаних параметрів діодів Шотткі та проаналізовано їх переваги та недоліки. Представлено нову методику визначення електричних параметрів діодів Шотткі, яка має мінімальне середньоквадратичне відхилення і забезпечує більшу точність розрахунків, ніж існуючі методики.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
V. Ulianova et al., “Fabrication, Characterization and Simulation of Sputtered Pt/In-Ga-Zn-O Schottky Diodes for Low-Frequency Half-Wave Rectifier Circuits,” IEEE Access, vol. 8, pp. 111783–111790, 2020, DOI: 10.1109/ACCESS.2020.3002267
J.-W. Kim, T.-J. Jung, and S.-M. Yoon, “Device characteristics of Schottky barrier diodes using In-Ga-Zn-O semiconductor thin films with different atomic ratios,” Journal of Alloys and Compounds, vol. 771, pp. 658–663, Jan. 2019, DOI: 10.1016/j.jallcom.2018.08.289
S. K. Dargar and V. M. Srivastava, “Design and analysis of IGZO thin film transistor for AMOLED pixel circuit using double-gate tri active layer channel,” Heliyon, vol. 5, no. 4, p. e01452, Apr. 2019, DOI: 10.1016/j.heliyon.2019.e01452
G. T. Dang et al., “IGZO MESFET with enzyme-modified Schottky gate electrode for glucose sensing,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 58, no. 9, p. 090603, May 2019, DOI: 10.7567/1347-4065/AB1A65
Ya. Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko, V. S. Slipokurov, R. I. Bigun, and Ya. Ya. Kudryk, “Methods for determination of Schottky barrier height from I-V curves,” in CriMiCo’2014, 2014, pp. 673–674.
H. Norde, “A modified forward I‐V plot for Schottky diodes with high series resistance,” Journal of Applied Physics, vol. 50, no. 7, p. 5052, Jul. 2008, DOI: 10.1063/1.325607
E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-semiconductor contacts, vol. 19. New York, USA: Oxford University Press, 1988.
S. K. Cheung and N. W. Cheung, “Extraction of Schottky diode parameters from forward current‐voltage characteristics,” Applied Physics Letters, vol. 49, no. 2, p. 85, Jun. 1998, DOI: 10.1063/1.97359.
K. Sato and Y. Yasumura, “Study of forward I‐V plot for Schottky diodes with high series resistance,” Journal of Applied Physics, vol. 58, no. 9, p. 3655, Aug. 1998, DOI: 10.1063/1.335750.
R. Fletcher, Practical Methods of Optimization. Chichester, West Sussex England: John Wiley & Sons, Ltd, 2000, ISBN: 9781118723203 DOI: 10.1002/9781118723203
