Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних <i>p-i-n</i> фотодіодів на основі високоомного <i>р</i>-Si

Основний зміст сторінки статті

Микола Степанович Кукурудзяк

Анотація

Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мкм), вирішено дослідити методи збільшення їх чутливості, зокрема зміщення максимуму спектральної характеристики чутливості фотоприймача в сторону більших довжин хвиль, а також проаналізувати вплив різних технологічних факторів на її вигляд. Встановлено, що при збільшенні напруги зворотного зміщення зміщується максимум спектральної характеристики в сторону більших довжин хвиль. Також побачено, що при збільшенні часу життя неосновних носіїв заряду та питмого опору кремнію при однаковій напрузі зміщення максимум спектральної характерстики зміщується в сторону більших довжин хвиль. Досягнуто значення максимуму спектральної характеристики 1,01-1,02 мкм. При використанні меза-технології, яка мінімізує деградацію питомого опору матеріалу, подальше зміщення максимуму не відбувається. Також встановлено, що зміна глибини залягання дифузійних шарів ФД може негативно впливати на рівень шумів.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
[1]
М. С. Кукурудзяк, «Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних &lt;i&gt;p-i-n&lt;/i&gt; фотодіодів на основі високоомного &lt;i&gt;р&lt;/i&gt;-Si», Мікросист., Електрон. та Акуст., т. 28, вип. 1, с. 275010.1–275010.6, Бер 2023.
Розділ
Мікросистеми та фізична електроніка

Посилання

C. Jia, “A self-powered high-performance photodetector based on a MoS /GaAs heterojunction with high polarization sensitivity”, Journal of Materials Chemistry C, vol. 7, no. 13, pp. 3817–3821, Jan. 2019. DOI: https://doi.org/10.1039/C8TC06398B

M. K. Sharma and J. L. Burnett, “Sensitivity and low-energy response of the Small Anode Germanium well detector with ceramic insert”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, vol. 988, p. 164943, Feb. 2021. DOI: https://doi.org/10.1016/j.nima.2020.164943

A. V. Fedorenko, “Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods”, Tekhnologiya i konstruirovaniye v elektronnoy apparature, no. 3-4, pp. 17–23, Jan. 2020. DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2020.3-4.17

M. S. Kukurudziak, O. P. Andreeva, and V. M. Lipka, “High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm”, Tekhnologiya i konstruirovaniye v elektronnoy apparature, no. 5-6, pp. 16–19, Jan. 2020. DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2020.5-6.16

Pasportni dani na FD 342M. URL: https://orion-ir.ru/upload/iblock/ccb/ccb64e81f708470ee2c2e4699b9679e2.pdf

Pasportni dani na YAG-555-4. URL: https://www.excelitas.com/product/yag-555-4-series-quadrant-photodiodes-si-pin-141-mm

Pasportni dani na FD 15M-01. URL: https://ckb-rhythm.com/ufd15m-01/

. Shupenev, N. Pankova, I. Korshunov, and A. Grigoriyants, “An Analysis of Destructive Methods of Thin Films Thickness Measurement”, Proceedings of Higher Educational Institutions. Маchine Building, no. 3 (708), pp. 31–39, Mar. 2019. DOI: https://doi.org/10.18698/0536-1044-2019-3-31-39

M. S. Kukurudziak and Y. G. Dobrovolsky, “Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity”, Tekhnologiya i konstruirovaniye v elektronnoy apparature, no. 1-2, pp. 61–67, Jan. 2021. DOI: http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2021.1-2.6

L. K. Buzanova and A. Y. Gliberman, Poluprovodnikovyye fotopriyomniki, Moskow: Yenergiya, 1976, p. 67.

M. P. Teplyakov, O. S. Ken, D. N. Goryachev, and O. M. Sreseli, “Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si”, Semiconductors, vol. 52, no. 9, pp. 1193–1197, Aug. 2018. DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261809021X

M. S. Kukurudziak, “Technological Causes of p-n-Junction Break-down of Silicon p-i-n Photodiodes”, Microsystems, Electronics and Acoustics, vol. 27, no. 3, Dec. 2022. DOI: https://doi.org/10.20535/2523-4455.mea.268299

S. Zi, Fizika poluprovodnikov. vol. 2, Moscow: Mir, 1984, p. 456.

M. S. Kukurudziak, E. V. Maistruk, and O. V. Angelsky, “Influence of chromium sublayer on silicon P-I-N photodiodes responsivity”, in Fifteenth International Conference on Correlation Optics, Chernivtsi, Ukraine, 2021, p. 78. DOI: https://doi.org/10.1117/12.2616170