Генерація надвисокочастотної плазми за допомогою еванесцентних хвиль
Бічна панель сторінки статті
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У даній роботі проведено аналіз та порівняння можливих конструктивних особливостей надвисокочастотних генераторів низькотемпературної плазми, які будуються на базі еванесцентних хвиль. У статті розглянуто три підходи, що забезпечують збудження еванесцентної хвилі: збудження за допомогою позамежного хвилеводу; еванесцентна хвиля, що збуджується за допомогою поверхневої хвилі; еванесцентна хвиля, що збуджується поблизу поверхні діелектрика за рахунок ефекту порушення повного внутрішнього відбиття. Представлено результати перших експериментів використання таких генераторів та визначені перспективи їх подальшого застосування для іонно-плазмової технології обробки великих підкладок. На основі проведеного дослідження висунуті пропозиції щодо актуальності майбутніх розробок у даному напрямку. Метою дослідження є проблема забезпечення зони однорідності оброблюваної поверхні твердого тіла великої площі (метри квадратні).
Бібл. 13, рис. 6.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
B. Danilin, Primenenie nizkotemperaturnoi plazmy dlia naneseniia tonkih plenok [Low-temperature plasma application for thin film deposition], Moscow: Energoatomizdat, 1989, p. 328. ISBN 5-283-03939-0
B. Danilin; V.Kireev, Primenenie nizkotemperaturnoi plazmy dlia travlenia i ochistki materialov [Low-temperature plasma application for etching and cleaning of materials], Moscow: Energoatomizdat, 1987, p. 264.
N. G. Einspruch; D. M. Brown, Plasma processing for VLSI, Orlando: Academic Press, 1984, p. 469.
Y. N. Korkishko, Vvedenie v protsessy integralnykh mikro- i nanotehnologyi. Tom 2: Tehnologicheskie aspekty [Introduction to processes of integral micro- and nanotechnology. Vol. 2. Technological aspects], vol. 2, Moscow: BINOM. Laboratory of knowledge, 2011, p. 252. ISBN 5-9963-0336-6
O. Volpian; A. Kuzmichev; V. Perevertailo, «Bezelektrodnyi activator reaktsionnogo gaza dlia opticheskoi tonkoplenochnoi technologii. [Electrodeless activator of reactive gas for optical thin-film technology],» Nanoingeneria, no. 9, pp. 11-16, 2014.
O. Volpian; A. Kuzmichev, Otritsatelnoe prelomlenie voln. Vvedenie v fiziku I technologiu elektromagnitnyh metamaterialov [Negative refraction of waves. Introduction to the physics and technology of electromagnetic metamaterials], Kyiv: Avers, 2012, p. 360.
O. Volpian; A. Kuzmichev, «Nanorazmernye elektronno-fotonnye ustroistva na osnove poverhnostnyh plazmonnyh poliaritonov. [Nanoscale electron-photon devices based on surface plasmon polaritons],» Electronics and Communications, vol. 16, no. 1, pp. 5-11, 2011.
I. Lebedev, Tehnika i pribory SVCh. Tom 1 [Microwave technique and devices. Vol. 1], Moskow: Vyshaya shkola, 1970, p. 440.
E. F. Abdel; M. Suzuki; Y. Kitamura; H. Shindo, "Large-scaled line plasma production by evanescent microwave in a narrow rectangular waveguide," in 28th International Conference on Phenomena in Ionized Gases, ICPIG'2007, Prague, Czech Republic, 2007.
E. F. Abdel; S. Fuji; H. Shindo, "Large-scaled line plasma production by evanescent microwave," Plasma Devices and Operations, vol. 17, no. 3, p. 221–228, 2009. DOI: 10.1080/10519990902958029
G. Shanmugavelayutham; R. Ramasamy; T. Fukasawa; H. Kajiyama; T. Shinoda, "Development of uniform line-shaped plasma under long wavelength evanescent microwave (LWEM) for PDP processing," in The 9th Asian Symposium on Information Display, ASID'2006, New Delhi, India, 2006.
Y. Yoshida; H. Ogura, "Compact holey-plate plasma source," Vacuum, vol. 74, no. 3-4, pp. 509-513, June 2004. DOI: 10.1016/j.vacuum.2004.01.022
Emanuel Stockman; James Michael; Alex Fuller; Sohail Zaidi; Richard Miles, "Toward high Q, evanescent coupled microwave controlled combustion," in 47th AIAA Aerospace Sciences Meeting Including The New Horizons Forum and Aerospace Exposition, Orlando, Florida, USA, 2009. DOI: 10.2514/6.2009-491
